NX6008NBKR
Available可供
IC
TO-236AB
NX6008NBKR
NX6008NBK/SOT23/TO-236AB
Brand
Nexperia
Package
TO-236AB
交期
现货
Date Code
26+
NX6008NBKRParameters
| 封装 | TO-236AB |
|---|---|
| 品牌 | Nexperia(安世) |
| 批次 | 26+ |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.8Ω@4.5V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV |
| 输入电容(Ciss) | 27pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 2.9pF |
| 商品名称 | 60V N沟道 沟槽MOSFET, 电流:270mA, 耐压:60V |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 17,350 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 耗散功率(Pd) | 330mW |
| 栅极电荷量(Qg) | 700pC@4.5V |
| 反向传输电容(Crss) | 1.9pF |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±8V |
| 商品型号 | NX6008NBKR |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.000232941 |
NX6008NBKR概述
NX6008NBK/SOT23/TO-236AB
NX6008NBKR特性
- 低阈值电压
- 极快的开关速度
- 沟槽MOSFET技术
- 静电放电(ESD)保护 >2 kV HBM
NX6008NBKR应用领域
- 继电器驱动器
- 高速线路驱动器
- 低端负载开关
- 开关电路