NX3DV42GU-HXY
IC
QFN-14(1.4x1.8)
可供量大可议
NX3DV42GU-HXY
该模拟开关/多路复用器采用双通道单刀双掷（SPDT）开关结构， 支持1.5V至5.5V宽工作电压范围， 适用于多种电源供电场景。 器件导通电阻（Ron）典型值为1.5Ω， 可有效降低信号路径损耗， 提升传输效率。 其双通道独立控制特性， 支持同时进行多路信号切换， 适用于需要灵活路由控制的电路设计。 常用于消费类电子产品中的信号选择、外设切换、传感器接口管理以及便携式设备中的低功耗模拟或数字信号控制等应用场景。
品牌
HXY MOSFET
封装
QFN-14(1.4x1.8)
库存
122
货期
现货
NX3DV42GU-HXY参数
| 封装 | QFN-14(1.4x1.8) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 模拟开关/多路复用器 |
|---|---|
| 库存 | 122 |
NX3DV42GU-HXY概述
该模拟开关/多路复用器采用双通道单刀双掷（SPDT）开关结构， 支持1.5V至5.5V宽工作电压范围， 适用于多种电源供电场景。 器件导通电阻（Ron）典型值为1.5Ω， 可有效降低信号路径损耗， 提升传输效率。 其双通道独立控制特性， 支持同时进行多路信号切换， 适用于需要灵活路由控制的电路设计。 常用于消费类电子产品中的信号选择、外设切换、传感器接口管理以及便携式设备中的低功耗模拟或数字信号控制等应用场景。
NX3DV42GU-HXY特性
暂无产品特性。
NX3DV42GU-HXY应用领域
暂无应用领域。