NX3020NAK, 215
IC
TO-236AB
可供量大可议
NX3020NAK, 215
򬓹 򏟋 򏟋 mW(Ta)， 󗙻 񄂹 򏟋 𮧂 W(Tc) 򘞟 򏟋 V 󗙻 񄂹 𢺫 V@ 򘞟 𢺫 򏟋 µA 򏟋 񄂹 󺺆 󺺆 nC@ 󺺆 񄂹 𢺫 V 󗙻 个N沟道 򬓹 򏟋 V 󺺆 񄂹 𢺫 Ω@ 󗙻 򏟋 򏟋 mA, 󗙻 򏟋 V 򘞟 򏟋 򏟋 mA 󗙻 򬓹 pF@󗙻 򏟋 V TO-򘞟 򬓹 𮧂 AB 贴片安装
品牌
nexperia
封装
TO-236AB
库存
2,798
货期
现货
NX3020NAK, 215参数
| 封装 | TO-236AB |
|---|---|
| 品牌 | nexperia |
| 批次 | 2537+ |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5Ω@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 输入电容(Ciss) | 13pF |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2798 |
| MOQ / SPQ | 10 / 10 |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 耗散功率(Pd) | 300mW； 1.06W |
| 栅极电荷量(Qg) | 440pC@4.5V |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
NX3020NAK, 215概述
场效应管(MOSFET) 300mW； 1.06W 30V 200mA 1个N沟道
NX3020NAK, 215特性
暂无产品特性。
NX3020NAK, 215应用领域
暂无应用领域。