NX3008NBKW, 115-JSM
IC
SOT-323
可供量大可议
NX3008NBKW, 115-JSM
数量：1个N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：800mA 导通电阻(RDS(on))：650mΩ@2.5V 耗散功率(Pd)：360mW 阈值电压(Vgs(th))：1.2V@250uA
品牌
JSMSEMI
封装
SOT-323
库存
3,320
货期
现货
NX3008NBKW, 115-JSM参数
| 封装 | SOT-323 |
|---|---|
| 品牌 | JSMSEMI(杰盛微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 3320 |
NX3008NBKW, 115-JSM概述
数量：1个N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：800mA 导通电阻(RDS(on))：650mΩ@2.5V 耗散功率(Pd)：360mW 阈值电压(Vgs(th))：1.2V@250uA
NX3008NBKW, 115-JSM特性
暂无产品特性。
NX3008NBKW, 115-JSM应用领域
暂无应用领域。