NX138BKMYL
自营可供
IC
SOT-883
NX138BKMYL
N- 沟道增强型场效应晶体管 (FET)， 采用 Trench MOSFET 技术， 采用无引脚超小型 DFN1006-3 (SOT883) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
品牌
Nexperia
封装
SOT-883
交期
现货
批次
—
NX138BKMYL参数
| 封装 | SOT-883 |
|---|---|
| 品牌 | Nexperia(安世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 耗散功率(Pd) | 380mW |
| 栅极电荷量(Qg) | 700pC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 3.1pF |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
| 商品型号 | NX138BKMYL |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 8.6e-05 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 8320 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.8Ω@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 输入电容(Ciss) | 20pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 3.1pF |
| 商品名称 | 1个N沟道 耐压:60V 电流:380mA |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
NX138BKMYL概述
采用沟槽MOSFET技术的N沟道增强型场效应晶体管(FET), 采用无引脚超小型DFN1006-3(SOT883)表面贴装器件(SMD)塑料封装。
NX138BKMYL特性
- 低阈值电压
- 极快速开关
- 沟槽MOSFET技术
- 静电放电(ESD)保护 >2 kV HBM
NX138BKMYL应用领域
- 继电器驱动器-高速线路驱动器-低端负载开关-开关电路