NVTFWS9D6P04M8LTAG
IC
WDFN-8(3.3x3.3)
可供量大可议
NVTFWS9D6P04M8LTAG
特性：小尺寸封装 (3.3×3.3mm)， 适用于紧凑设计。 低导通电阻， 以最小化传导损耗。 低电容， 以最小化驱动损耗。 可焊侧翼产品。 通过AEC-Q101认证， 具备生产件批准程序（PPAP）能力。 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR）， 并符合RoHS标准
品牌
onsemi
封装
WDFN-8(3.3x3.3)
库存
1
货期
现货
NVTFWS9D6P04M8LTAG参数
| 封装 | WDFN-8(3.3x3.3) |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1 |
NVTFWS9D6P04M8LTAG概述
特性：小尺寸封装 (3.3×3.3mm)， 适用于紧凑设计。 低导通电阻， 以最小化传导损耗。 低电容， 以最小化驱动损耗。 可焊侧翼产品。 通过AEC-Q101认证， 具备生产件批准程序（PPAP）能力。 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR）， 并符合RoHS标准
NVTFWS9D6P04M8LTAG特性
暂无产品特性。
NVTFWS9D6P04M8LTAG应用领域
暂无应用领域。