NVTFWS4D9N04XMTAG-HXY
IC
DFN-8L(3x3)
可供量大可议
NVTFWS4D9N04XMTAG-HXY
这款N沟道场效应管专为高效能电源管理设计, 具备40V的漏源耐压能力, 可稳定应对中等电压环境下的负载切换需求。 其核心优势在于极低的导通电阻, 在10V栅极驱动下仅为4.2mΩ, 这意味着在大电流通过时产生的热损耗极小, 有助于维持系统的高能效与热稳定性。 该器件能够承载70A的连续漏极电流, 配合±20V的栅源电压耐受范围, 使其在驱动电路设计上拥有较宽的安全余量。 它非常适合应用于高密度DC-DC转换器、锂电池保护模组以及各类需要快速响应和低功耗的负载开关场景, 是构建紧凑型、高效率电子系统的理想选择。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(3x3)
库存
44
货期
现货
NVTFWS4D9N04XMTAG-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 44 |
NVTFWS4D9N04XMTAG-HXY概述
这款N沟道场效应管专为高效能电源管理设计, 具备40V的漏源耐压能力, 可稳定应对中等电压环境下的负载切换需求。 其核心优势在于极低的导通电阻, 在10V栅极驱动下仅为4.2mΩ, 这意味着在大电流通过时产生的热损耗极小, 有助于维持系统的高能效与热稳定性。 该器件能够承载70A的连续漏极电流, 配合±20V的栅源电压耐受范围, 使其在驱动电路设计上拥有较宽的安全余量。 它非常适合应用于高密度DC-DC转换器、锂电池保护模组以及各类需要快速响应和低功耗的负载开关场景, 是构建紧凑型、高效率电子系统的理想选择。
NVTFWS4D9N04XMTAG-HXY特性
暂无产品特性。
NVTFWS4D9N04XMTAG-HXY应用领域
暂无应用领域。
