NVTFWS030N06CTAG-HXY

该N沟道场效应管额定漏极电流20A， 漏源击穿电压60V， 导通电阻24毫欧， 栅源驱动电压上限20V。 其电气特性适用于中等功率开关场景， 如笔记本电脑电源适配器、LED照明驱动电路及便携式设备电池管理模块。 24毫欧的导通阻抗在60V耐压等级下， 为消费类电子提供了损耗与成本的平衡方案， 满足对空间布局有严格要求的电路板设计需求。