NVTFWS014P04M8LTAG
IC
WDFN-8(3.3x3.3)
可供量大可议
NVTFWS014P04M8LTAG
特性：小尺寸 (3.3×3.3mm)， 适合紧凑设计。 低RDS(on)， 以最小化传导损耗。 低电容， 以最小化驱动损耗。 可焊侧翼产品。 通过AEC-Q101认证， 具备PPAP能力。 这些器件无铅、无卤素/BFR， 符合RoHS标准
品牌
onsemi
封装
WDFN-8(3.3x3.3)
库存
1
货期
现货
NVTFWS014P04M8LTAG参数
| 封装 | WDFN-8(3.3x3.3) |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1 |
NVTFWS014P04M8LTAG概述
特性：小尺寸 (3.3×3.3mm)， 适合紧凑设计。 低RDS(on)， 以最小化传导损耗。 低电容， 以最小化驱动损耗。 可焊侧翼产品。 通过AEC-Q101认证， 具备PPAP能力。 这些器件无铅、无卤素/BFR， 符合RoHS标准
NVTFWS014P04M8LTAG特性
暂无产品特性。
NVTFWS014P04M8LTAG应用领域
暂无应用领域。