NVTFWS012P03P8ZTAG-HXY
IC
DFN-8L(3x3)
可供量大可议
NVTFWS012P03P8ZTAG-HXY
该P沟道场效应管具备55A漏极电流与30V漏源电压, 导通电阻低至8毫欧。 低阻值特性显著降低导通损耗, 提升系统能效。 适用于笔记本电脑电池保护、便携式设备负载开关及直流电机驱动电路。 在空间受限的电源管理设计中, 它能提供可靠的电流控制与热性能表现, 满足消费电子对高效供电的需求。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(3x3)
库存
48
货期
现货
NVTFWS012P03P8ZTAG-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 48 |
NVTFWS012P03P8ZTAG-HXY概述
该P沟道场效应管具备55A漏极电流与30V漏源电压, 导通电阻低至8毫欧。 低阻值特性显著降低导通损耗, 提升系统能效。 适用于笔记本电脑电池保护、便携式设备负载开关及直流电机驱动电路。 在空间受限的电源管理设计中, 它能提供可靠的电流控制与热性能表现, 满足消费电子对高效供电的需求。
NVTFWS012P03P8ZTAG-HXY特性
暂无产品特性。
NVTFWS012P03P8ZTAG-HXY应用领域
暂无应用领域。
