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NVTFWS012P03P8ZTAG-HXY
IC

DFN-8L(3x3)

可供量大可议

NVTFWS012P03P8ZTAG-HXY

该P沟道场效应管具备55A漏极电流与30V漏源电压, 导通电阻低至8毫欧。 低阻值特性显著降低导通损耗, 提升系统能效。 适用于笔记本电脑电池保护、便携式设备负载开关及直流电机驱动电路。 在空间受限的电源管理设计中, 它能提供可靠的电流控制与热性能表现, 满足消费电子对高效供电的需求。

品牌

HXY MOSFET

封装

DFN-8L(3x3)

库存

48

货期

现货

NVTFWS012P03P8ZTAG-HXY参数

封装DFN-8L(3x3)
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存48

NVTFWS012P03P8ZTAG-HXY概述

该P沟道场效应管具备55A漏极电流与30V漏源电压, 导通电阻低至8毫欧。 低阻值特性显著降低导通损耗, 提升系统能效。 适用于笔记本电脑电池保护、便携式设备负载开关及直流电机驱动电路。 在空间受限的电源管理设计中, 它能提供可靠的电流控制与热性能表现, 满足消费电子对高效供电的需求。

NVTFWS012P03P8ZTAG-HXY特性

暂无产品特性。

NVTFWS012P03P8ZTAG-HXY应用领域

暂无应用领域。

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