NVTFWS004N04CTAG-HXY
IC
DFN-8L(3x3)
可供量大可议
NVTFWS004N04CTAG-HXY
这款N沟道场效应管专为高效率功率开关应用设计, 具备40V的漏源耐压能力, 可稳定运行于中低压电路环境。 其70A的连续漏极电流承载能力, 配合仅4.2mΩ的超低导通电阻, 大幅降低了导通状态下的功率损耗与温升, 提升了系统整体能效。 栅源电压支持±20V, 为驱动设计提供了良好的安全边界。 适用于各类高性能DC-DC转换模块、便携式设备的电源管理单元, 以及需要精确大电流控制的智能终端产品中, 实现紧凑而高效的功率切换。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(3x3)
库存
48
货期
现货
NVTFWS004N04CTAG-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 48 |
NVTFWS004N04CTAG-HXY概述
这款N沟道场效应管专为高效率功率开关应用设计, 具备40V的漏源耐压能力, 可稳定运行于中低压电路环境。 其70A的连续漏极电流承载能力, 配合仅4.2mΩ的超低导通电阻, 大幅降低了导通状态下的功率损耗与温升, 提升了系统整体能效。 栅源电压支持±20V, 为驱动设计提供了良好的安全边界。 适用于各类高性能DC-DC转换模块、便携式设备的电源管理单元, 以及需要精确大电流控制的智能终端产品中, 实现紧凑而高效的功率切换。
NVTFWS004N04CTAG-HXY特性
暂无产品特性。
NVTFWS004N04CTAG-HXY应用领域
暂无应用领域。
