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NVTFWS004N04CTAG-HXY
IC

DFN-8L(3x3)

可供量大可议

NVTFWS004N04CTAG-HXY

这款N沟道场效应管专为高效率功率开关应用设计, 具备40V的漏源耐压能力, 可稳定运行于中低压电路环境。 其70A的连续漏极电流承载能力, 配合仅4.2mΩ的超低导通电阻, 大幅降低了导通状态下的功率损耗与温升, 提升了系统整体能效。 栅源电压支持±20V, 为驱动设计提供了良好的安全边界。 适用于各类高性能DC-DC转换模块、便携式设备的电源管理单元, 以及需要精确大电流控制的智能终端产品中, 实现紧凑而高效的功率切换。

品牌

HXY MOSFET

封装

DFN-8L(3x3)

库存

48

货期

现货

NVTFWS004N04CTAG-HXY参数

封装DFN-8L(3x3)
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存48

NVTFWS004N04CTAG-HXY概述

这款N沟道场效应管专为高效率功率开关应用设计, 具备40V的漏源耐压能力, 可稳定运行于中低压电路环境。 其70A的连续漏极电流承载能力, 配合仅4.2mΩ的超低导通电阻, 大幅降低了导通状态下的功率损耗与温升, 提升了系统整体能效。 栅源电压支持±20V, 为驱动设计提供了良好的安全边界。 适用于各类高性能DC-DC转换模块、便携式设备的电源管理单元, 以及需要精确大电流控制的智能终端产品中, 实现紧凑而高效的功率切换。

NVTFWS004N04CTAG-HXY特性

暂无产品特性。

NVTFWS004N04CTAG-HXY应用领域

暂无应用领域。

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