NVTFS9D6P04M8LTAG
IC
WDFN-8(3.3x3.3)
可供量大可议
NVTFS9D6P04M8LTAG
特性：小尺寸 (3.3x3.3mm)， 适合紧凑设计。 低导通电阻 (RDS(on))， 以最小化传导损耗。 低电容， 以最小化驱动损耗。 NVTFWS9D6P04M8L 可焊侧翼产品。 AEC-Q101 认证且具备 PPAP 能力。 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂且符合 RoHS 标准
品牌
onsemi
封装
WDFN-8(3.3x3.3)
库存
1,598
货期
现货
NVTFS9D6P04M8LTAG参数
| 封装 | WDFN-8(3.3x3.3) |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1598 |
NVTFS9D6P04M8LTAG概述
特性：小尺寸 (3.3x3.3mm)， 适合紧凑设计。 低导通电阻 (RDS(on))， 以最小化传导损耗。 低电容， 以最小化驱动损耗。 NVTFWS9D6P04M8L 可焊侧翼产品。 AEC-Q101 认证且具备 PPAP 能力。 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂且符合 RoHS 标准
NVTFS9D6P04M8LTAG特性
暂无产品特性。
NVTFS9D6P04M8LTAG应用领域
暂无应用领域。