NVTFS8D1N08HTAG
IC
WDFN-8(3.3x3.3)
可供量大可议
NVTFS8D1N08HTAG
特性：小尺寸 (5x6mm)， 适合紧凑设计。 低RDS(on)， 以最小化传导损耗。 低QG和电容， 以最小化驱动损耗。 NVTFWS8D1N08H-可焊侧翼选项， 便于光学检测。 符合AEC-Q101标准， 可提供生产件批准程序 (PPAP) 文件。 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂 (BFR)， 并符合RoHS标准
品牌
onsemi
封装
WDFN-8(3.3x3.3)
库存
21
货期
现货
NVTFS8D1N08HTAG参数
| 封装 | WDFN-8(3.3x3.3) |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 21 |
NVTFS8D1N08HTAG概述
特性：小尺寸 (5x6mm)， 适合紧凑设计。 低RDS(on)， 以最小化传导损耗。 低QG和电容， 以最小化驱动损耗。 NVTFWS8D1N08H-可焊侧翼选项， 便于光学检测。 符合AEC-Q101标准， 可提供生产件批准程序 (PPAP) 文件。 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂 (BFR)， 并符合RoHS标准
NVTFS8D1N08HTAG特性
暂无产品特性。
NVTFS8D1N08HTAG应用领域
暂无应用领域。