NVTFS6H888NLTAG
IC
WDFN-8(3x3)
可供量大可议
NVTFS6H888NLTAG
特性：小尺寸 (3.3x3.3mm)， 便于紧凑设计。 低RDS(on)， 以最小化传导损耗。 低电容， 以最小化驱动损耗。 可焊侧翼产品。 AEC-Q101合格且具备PPAP能力。 这些器件无铅且符合RoHS标准
品牌
onsemi
封装
WDFN-8(3x3)
库存
88
货期
现货
NVTFS6H888NLTAG参数
| 封装 | WDFN-8(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 88 |
NVTFS6H888NLTAG概述
特性：小尺寸 (3.3x3.3mm)， 便于紧凑设计。 低RDS(on)， 以最小化传导损耗。 低电容， 以最小化驱动损耗。 可焊侧翼产品。 AEC-Q101合格且具备PPAP能力。 这些器件无铅且符合RoHS标准
NVTFS6H888NLTAG特性
暂无产品特性。
NVTFS6H888NLTAG应用领域
暂无应用领域。