NVTFS6H860NLTAG
IC
WDFN-8(3.3x3.3)
可供量大可议
NVTFS6H860NLTAG
特性：小尺寸封装（3.3x3.3mm）， 适合紧凑设计。 低导通电阻， 可降低传导损耗。 低电容， 可降低驱动损耗。 产品具有可焊侧翼。 通过AEC-Q101认证， 具备生产件批准程序（PPAP）能力。 无铅且符合RoHS标准
品牌
onsemi
封装
WDFN-8(3.3x3.3)
库存
8
货期
现货
NVTFS6H860NLTAG参数
| 封装 | WDFN-8(3.3x3.3) |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 8 |
NVTFS6H860NLTAG概述
特性：小尺寸封装（3.3x3.3mm）， 适合紧凑设计。 低导通电阻， 可降低传导损耗。 低电容， 可降低驱动损耗。 产品具有可焊侧翼。 通过AEC-Q101认证， 具备生产件批准程序（PPAP）能力。 无铅且符合RoHS标准
NVTFS6H860NLTAG特性
暂无产品特性。
NVTFS6H860NLTAG应用领域
暂无应用领域。