NVTFS5C670NLTAG
IC
WDFN-8(3.3x3.3)
可供量大可议
NVTFS5C670NLTAG
适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET， 采用 3x3mm 扁平引线封装， 且具有较高的热性能。 可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。 通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET， 且符合生产件批准程序 (PPAP)， 适用于汽车应用。
品牌
onsemi
封装
WDFN-8(3.3x3.3)
库存
15
货期
现货
NVTFS5C670NLTAG参数
| 封装 | WDFN-8(3.3x3.3) |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 耗散功率(Pd) | 63W |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
| 商品型号 | NVTFS5C670NLTAG |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 8.8e-05 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 15 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.8mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 输入电容(Ciss) | 1.4nF |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
| 输出电容(Coss) | 690pF |
| 商品名称 | 1个N沟道 耐压:60V 电流:70A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
NVTFS5C670NLTAG概述
适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET， 采用 3x3mm 扁平引线封装， 且具有较高的热性能。 可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。 通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET， 且符合生产件批准程序 (PPAP)， 适用于汽车应用。
NVTFS5C670NLTAG特性
- 小尺寸封装(3.3 x 3.3 mm), 适用于紧凑设计
- 低导通电阻RDS(on), 以最小化传导损耗
- 低电容, 以最小化驱动损耗
- NVTFS5C670NLWF
- 可焊侧翼产品
- 通过AEC-Q101认证, 可提供生产件批准程序(PPAP)文件
- 这些器件为无铅产品, 符合RoHS标准
NVTFS5C670NLTAG应用领域
暂无应用领域。