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NVTFS5C658NLWFTAG-VB
IC

PDFN-8L(3x3)

可供量大可议

NVTFS5C658NLWFTAG-VB

台积电流片, 长电科技封装; DFN8(3X3); N—Channel沟道; 60V; 50A; RDS(ON)=6.5(mΩ)@VGS=10V; VGS=±20V; Vth=2.5V; 采用SGT技术

品牌

VBsemi

封装

PDFN-8L(3x3)

库存

5

货期

现货

NVTFS5C658NLWFTAG-VB参数

封装PDFN-8L(3x3)
品牌VBsemi(微碧半导体)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存5

NVTFS5C658NLWFTAG-VB概述

台积电流片, 长电科技封装; DFN8(3X3); N—Channel沟道; 60V; 50A; RDS(ON)=6.5(mΩ)@VGS=10V; VGS=±20V; Vth=2.5V; 采用SGT技术

NVTFS5C658NLWFTAG-VB特性

暂无产品特性。

NVTFS5C658NLWFTAG-VB应用领域

暂无应用领域。

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