NVTFS5C658NLWFTAG-HXY
IC
DFN-8L(3x3)
可供量大可议
NVTFS5C658NLWFTAG-HXY
本产品为N沟道场效应管, 具有60V漏源耐压(VDSS)和100A连续漏极电流(ID)能力, 导通电阻低至4mΩ。 低RDON参数有助于减小导通损耗, 提高电源转换效率, 适用于高负载功率开关场景。 器件具备良好的热稳定性和电流承载能力, 适合用于高效DC-DC变换器、大功率电源模块、电池供电设备的功率控制电路, 以及对能效和空间布局有较高要求的电子系统中, 作为关键开关元件实现快速响应与稳定工作。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(3x3)
库存
117
货期
现货
NVTFS5C658NLWFTAG-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 117 |
NVTFS5C658NLWFTAG-HXY概述
本产品为N沟道场效应管, 具有60V漏源耐压(VDSS)和100A连续漏极电流(ID)能力, 导通电阻低至4mΩ。 低RDON参数有助于减小导通损耗, 提高电源转换效率, 适用于高负载功率开关场景。 器件具备良好的热稳定性和电流承载能力, 适合用于高效DC-DC变换器、大功率电源模块、电池供电设备的功率控制电路, 以及对能效和空间布局有较高要求的电子系统中, 作为关键开关元件实现快速响应与稳定工作。
NVTFS5C658NLWFTAG-HXY特性
暂无产品特性。
NVTFS5C658NLWFTAG-HXY应用领域
暂无应用领域。
