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NVTFS5C658NLWFTAG-HXY
IC

DFN-8L(3x3)

可供量大可议

NVTFS5C658NLWFTAG-HXY

本产品为N沟道场效应管, 具有60V漏源耐压(VDSS)和100A连续漏极电流(ID)能力, 导通电阻低至4mΩ。 低RDON参数有助于减小导通损耗, 提高电源转换效率, 适用于高负载功率开关场景。 器件具备良好的热稳定性和电流承载能力, 适合用于高效DC-DC变换器、大功率电源模块、电池供电设备的功率控制电路, 以及对能效和空间布局有较高要求的电子系统中, 作为关键开关元件实现快速响应与稳定工作。

品牌

HXY MOSFET

封装

DFN-8L(3x3)

库存

117

货期

现货

NVTFS5C658NLWFTAG-HXY参数

封装DFN-8L(3x3)
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存117

NVTFS5C658NLWFTAG-HXY概述

本产品为N沟道场效应管, 具有60V漏源耐压(VDSS)和100A连续漏极电流(ID)能力, 导通电阻低至4mΩ。 低RDON参数有助于减小导通损耗, 提高电源转换效率, 适用于高负载功率开关场景。 器件具备良好的热稳定性和电流承载能力, 适合用于高效DC-DC变换器、大功率电源模块、电池供电设备的功率控制电路, 以及对能效和空间布局有较高要求的电子系统中, 作为关键开关元件实现快速响应与稳定工作。

NVTFS5C658NLWFTAG-HXY特性

暂无产品特性。

NVTFS5C658NLWFTAG-HXY应用领域

暂无应用领域。

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