NVTFS5C658NLTAG-HXY

该N沟道场效应管具备60V漏源电压（VDSS）和100A连续漏极电流（ID）能力， 适用于中高功率开关应用。 其4mΩ的低导通电阻有助于降低导通损耗， 提高整体能效。 器件基于成熟工艺设计， 具有良好的热性能与开关稳定性， 适合在紧凑型电源系统中实现高效功率切换。 可广泛应用于直流-直流转换、电池供电设备的功率控制以及各类高性能电子负载的驱动电路， 满足对效率与空间利用率要求较高的设计方案。