NVTFS5C460NLTAG-HXY
IC
DFN-8L(3x3)
可供量大可议
NVTFS5C460NLTAG-HXY
这是一款N沟道增强型场效应管, 其40V的漏源极耐压(VDSS)为电路提供了可靠的电压安全裕度。 器件的核心优势在于低至4.2mΩ的导通电阻(RDON), 这意味着在70A的连续漏极电流(ID)下, 其自身功耗与发热量极低, 显著提升了整体能效。 ±20V的栅源极电压(VGS)范围则确保了与各类驱动电路的广泛兼容性。 凭借这些特性, 该元件非常适合用作大电流负载开关、DC-DC转换器中的主开关, 或任何需要高效、低损耗功率切换的电子设备内部。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(3x3)
库存
48
货期
现货
NVTFS5C460NLTAG-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 48 |
NVTFS5C460NLTAG-HXY概述
这是一款N沟道增强型场效应管, 其40V的漏源极耐压(VDSS)为电路提供了可靠的电压安全裕度。 器件的核心优势在于低至4.2mΩ的导通电阻(RDON), 这意味着在70A的连续漏极电流(ID)下, 其自身功耗与发热量极低, 显著提升了整体能效。 ±20V的栅源极电压(VGS)范围则确保了与各类驱动电路的广泛兼容性。 凭借这些特性, 该元件非常适合用作大电流负载开关、DC-DC转换器中的主开关, 或任何需要高效、低损耗功率切换的电子设备内部。
NVTFS5C460NLTAG-HXY特性
暂无产品特性。
NVTFS5C460NLTAG-HXY应用领域
暂无应用领域。
