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NVTFS5C460NLTAG-HXY
IC

DFN-8L(3x3)

可供量大可议

NVTFS5C460NLTAG-HXY

这是一款N沟道增强型场效应管, 其40V的漏源极耐压(VDSS)为电路提供了可靠的电压安全裕度。 器件的核心优势在于低至4.2mΩ的导通电阻(RDON), 这意味着在70A的连续漏极电流(ID)下, 其自身功耗与发热量极低, 显著提升了整体能效。 ±20V的栅源极电压(VGS)范围则确保了与各类驱动电路的广泛兼容性。 凭借这些特性, 该元件非常适合用作大电流负载开关、DC-DC转换器中的主开关, 或任何需要高效、低损耗功率切换的电子设备内部。

品牌

HXY MOSFET

封装

DFN-8L(3x3)

库存

48

货期

现货

NVTFS5C460NLTAG-HXY参数

封装DFN-8L(3x3)
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存48

NVTFS5C460NLTAG-HXY概述

这是一款N沟道增强型场效应管, 其40V的漏源极耐压(VDSS)为电路提供了可靠的电压安全裕度。 器件的核心优势在于低至4.2mΩ的导通电阻(RDON), 这意味着在70A的连续漏极电流(ID)下, 其自身功耗与发热量极低, 显著提升了整体能效。 ±20V的栅源极电压(VGS)范围则确保了与各类驱动电路的广泛兼容性。 凭借这些特性, 该元件非常适合用作大电流负载开关、DC-DC转换器中的主开关, 或任何需要高效、低损耗功率切换的电子设备内部。

NVTFS5C460NLTAG-HXY特性

暂无产品特性。

NVTFS5C460NLTAG-HXY应用领域

暂无应用领域。

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