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NVTFS5C460NLTAG
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IC

WDFN-8(3x3)

NVTFS5C460NLTAG

适用于紧凑和高能效设计的汽车用功率 MOSFET, 采用 3x3mm 扁平引线封装且具有较高的热性能。 可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。 通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET, 符合生产件批准程序 (PPAP), 适用于汽车应用。

品牌

onsemi

封装

WDFN-8(3x3)

交期

现货

批次

—

NVTFS5C460NLTAG参数

封装WDFN-8(3x3)
品牌onsemi(安森美)
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)40V
耗散功率(Pd)50W
栅极电荷量(Qg)11nC@10V
反向传输电容(Crss)22pF
类型N沟道
栅极电压(Vgs)±20V
商品型号NVTFS5C460NLTAG
单位个
商品重量5.4e-05
分类场效应管(MOSFET)
库存50
数量1个N沟道
导通电阻(RDS(on))4.8mΩ@10V
阈值电压(Vgs(th))2V
输入电容(Ciss)1.3nF
工作温度-55℃~+175℃
输出电容(Coss)530pF
商品名称1个N沟道 耐压:40V 电流:74A
包装方式编带
商品类型场效应管(MOSFET)

NVTFS5C460NLTAG概述

适用于紧凑和高能效设计的汽车用功率 MOSFET, 采用 3x3mm 扁平引线封装且具有较高的热性能。 可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。 通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET, 符合生产件批准程序 (PPAP), 适用于汽车应用。

NVTFS5C460NLTAG特性

  • 小尺寸封装(3.3 x 3.3 mm), 适用于紧凑设计
  • 低导通电阻RDS(on), 以最小化传导损耗
  • 低电容, 以最小化驱动损耗
  • NVTFS5C460NLWF
  • 可焊侧翼产品
  • 通过AEC-Q101认证, 具备生产件批准程序(PPAP)能力
  • 这些器件为无铅产品, 符合RoHS标准

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