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NVTFS5124PLTAG-VB
IC

DFN3x3-8

可供量大可议

NVTFS5124PLTAG-VB

台积电流片, 长电科技封装; DFN8(3X3); P—Channel沟道; -60V; -5A; RDS(ON)=120(mΩ)@VGS=10V; VGS=±20V; Vth=-2.0V; 采用Trench技术

品牌

VBsemi

封装

DFN3x3-8

库存

5

货期

现货

NVTFS5124PLTAG-VB参数

封装DFN3x3-8
品牌VBsemi(微碧半导体)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存5

NVTFS5124PLTAG-VB概述

台积电流片, 长电科技封装; DFN8(3X3); P—Channel沟道; -60V; -5A; RDS(ON)=120(mΩ)@VGS=10V; VGS=±20V; Vth=-2.0V; 采用Trench技术

NVTFS5124PLTAG-VB特性

暂无产品特性。

NVTFS5124PLTAG-VB应用领域

暂无应用领域。

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