NVTFS5116PL-MS
IC
DFN3x3-8L
可供量大可议
NVTFS5116PL-MS
NVTFS5116PL-MS采用先进的沟槽技术， 可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷， 并且能在低至4.5V的栅极电压下工作。 该器件适用于电池保护或其他开关应用。
品牌
MSKSEMI
封装
DFN3x3-8L
库存
7,750
货期
现货
NVTFS5116PL-MS参数
| 封装 | DFN3x3-8L |
|---|---|
| 品牌 | MSKSEMI(美森科) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 7750 |
NVTFS5116PL-MS概述
NVTFS5116PL-MS采用先进的沟槽技术， 可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷， 并且能在低至4.5V的栅极电压下工作。 该器件适用于电池保护或其他开关应用。
NVTFS5116PL-MS特性
暂无产品特性。
NVTFS5116PL-MS应用领域
暂无应用领域。