NVTFS5116PL-HXY
IC
DFN-8L(3x3)
可供量大可议
NVTFS5116PL-HXY
这款场效应管具有20A的电流承载能力, 60V的耐压特性, 内阻典型值为55mΩ, 适用于高电流、低损耗的应用场景。 其P型结构使得它在特定电路设计中表现出色, 确保了高效的电流控制和稳定的性能表现。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(3x3)
库存
3,590
货期
现货
NVTFS5116PL-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 3590 |
NVTFS5116PL-HXY概述
这款场效应管具有20A的电流承载能力, 60V的耐压特性, 内阻典型值为55mΩ, 适用于高电流、低损耗的应用场景。 其P型结构使得它在特定电路设计中表现出色, 确保了高效的电流控制和稳定的性能表现。
NVTFS5116PL-HXY特性
暂无产品特性。
NVTFS5116PL-HXY应用领域
暂无应用领域。
