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NVTFS5116PL-HXY
IC

DFN-8L(3x3)

可供量大可议

NVTFS5116PL-HXY

这款场效应管具有20A的电流承载能力, 60V的耐压特性, 内阻典型值为55mΩ, 适用于高电流、低损耗的应用场景。 其P型结构使得它在特定电路设计中表现出色, 确保了高效的电流控制和稳定的性能表现。

品牌

HXY MOSFET

封装

DFN-8L(3x3)

库存

3,590

货期

现货

NVTFS5116PL-HXY参数

封装DFN-8L(3x3)
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存3590

NVTFS5116PL-HXY概述

这款场效应管具有20A的电流承载能力, 60V的耐压特性, 内阻典型值为55mΩ, 适用于高电流、低损耗的应用场景。 其P型结构使得它在特定电路设计中表现出色, 确保了高效的电流控制和稳定的性能表现。

NVTFS5116PL-HXY特性

暂无产品特性。

NVTFS5116PL-HXY应用领域

暂无应用领域。

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