NVTFS4C13NTAG
IC
WDFN-8(3.3x3.3)
可供量大可议
NVTFS4C13NTAG
特性：低RDS(on)， 以最小化传导损耗。 低电容， 以最小化驱动损耗。 优化的栅极电荷， 以最小化开关损耗。 可焊侧翼产品。 NVT前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用； 符合AEC-Q101标准且具备PPAP能力。 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂且符合RoHS标准
品牌
onsemi
封装
WDFN-8(3.3x3.3)
库存
16
货期
现货
NVTFS4C13NTAG参数
| 封装 | WDFN-8(3.3x3.3) |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 16 |
NVTFS4C13NTAG概述
特性：低RDS(on)， 以最小化传导损耗。 低电容， 以最小化驱动损耗。 优化的栅极电荷， 以最小化开关损耗。 可焊侧翼产品。 NVT前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用； 符合AEC-Q101标准且具备PPAP能力。 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂且符合RoHS标准
NVTFS4C13NTAG特性
暂无产品特性。
NVTFS4C13NTAG应用领域
暂无应用领域。