NVTFS4C08NTWG
IC
WDFN-8(3.3x3.3)
可供量大可议
NVTFS4C08NTWG
1个N沟道 耐压:30V 电流:17A
品牌
onsemi
封装
WDFN-8(3.3x3.3)
库存
100
货期
现货
NVTFS4C08NTWG参数
| 封装 | WDFN-8(3.3x3.3) |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 耗散功率(Pd) | 31W |
| 栅极电荷量(Qg) | 18.2nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 39pF |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
| 商品型号 | NVTFS4C08NTWG |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.000107 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 100 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.9mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V |
| 输入电容(Ciss) | 1.113nF |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
| 输出电容(Coss) | 702pF |
| 商品名称 | 1个N沟道 耐压:30V 电流:17A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
NVTFS4C08NTWG概述
1个N沟道 耐压:30V 电流:17A
NVTFS4C08NTWG特性
- 低导通电阻RDS(on), 以最小化传导损耗
- 低电容, 以最小化驱动损耗
- 优化的栅极电荷, 以最小化开关损耗
- NVTFS4C08NWF
- 可焊侧翼产品
- NVT前缀适用于汽车及其他有特定产地和控制变更要求的应用
- 符合AEC
- Q101标准且具备生产件批准程序(PPAP)能力
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂(BFR), 并符合RoHS标准
NVTFS4C08NTWG应用领域
暂无应用领域。