NVTFS4824NWFTAG-HXY

该N沟道场效应管（MOSFET）具有70A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）低至3.5毫欧。 其优异的导通特性可有效降低功率损耗， 提升系统效率， 适用于高电流、高频率的开关场景， 如电源管理模块、电机驱动电路及各类高效能电子设备中的功率转换环节。 器件在大电流工作条件下仍能保持良好的热稳定性和可靠性。