NVTFS4824NTWG-HXY
IC
DFN-8L(3x3)
可供量大可议
NVTFS4824NTWG-HXY
该N沟道MOSFET支持70A的连续漏极电流， 最大漏源电压为30V， 导通电阻低至3.5mΩ。 凭借其超低导通电阻， 器件在大电流工作条件下能有效抑制功率损耗和温升， 适用于高效率电源管理、同步整流、电机驱动及电池供电系统等场合。 其电气特性适合需要频繁开关操作和紧凑布局的电子设备， 有助于提升整体系统性能与可靠性。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(3x3)
库存
97
货期
现货
NVTFS4824NTWG-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 97 |
NVTFS4824NTWG-HXY概述
该N沟道MOSFET支持70A的连续漏极电流， 最大漏源电压为30V， 导通电阻低至3.5mΩ。 凭借其超低导通电阻， 器件在大电流工作条件下能有效抑制功率损耗和温升， 适用于高效率电源管理、同步整流、电机驱动及电池供电系统等场合。 其电气特性适合需要频繁开关操作和紧凑布局的电子设备， 有助于提升整体系统性能与可靠性。
NVTFS4824NTWG-HXY特性
暂无产品特性。
NVTFS4824NTWG-HXY应用领域
暂无应用领域。