NVTFS4824NTAG-HXY

该N沟道MOSFET具备70A的连续漏极电流能力， 最大漏源电压为30V， 导通电阻仅为3.5mΩ， 适用于高效率、大电流的开关应用场景。 其极低的导通电阻有助于显著降低导通损耗， 在电源转换、同步整流及高密度功率模块等电路中可有效提升系统能效与热性能。 器件结构设计支持快速开关操作， 适合对动态响应和功率密度有较高要求的电子设备。