NVTFS4823NWFTWG-HXY
IC
DFN-8L(3x3)
可供量大可议
NVTFS4823NWFTWG-HXY
该N沟道场效应管（MOSFET）具备35A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）为7.5毫欧， 适用于中等功率的开关应用。 其较低的导通电阻有助于降低导通损耗， 提升整体能效， 在电源转换、电机控制及高频开关电路中可实现稳定运行。 器件支持高效热管理， 适合对体积和效率有要求的电子系统。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(3x3)
库存
97
货期
现货
NVTFS4823NWFTWG-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 97 |
NVTFS4823NWFTWG-HXY概述
该N沟道场效应管（MOSFET）具备35A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）为7.5毫欧， 适用于中等功率的开关应用。 其较低的导通电阻有助于降低导通损耗， 提升整体能效， 在电源转换、电机控制及高频开关电路中可实现稳定运行。 器件支持高效热管理， 适合对体积和效率有要求的电子系统。
NVTFS4823NWFTWG-HXY特性
暂无产品特性。
NVTFS4823NWFTWG-HXY应用领域
暂无应用领域。