NVTFS4823NTAG-HXY

该N沟道MOSFET具有35A的连续漏极电流能力， 最大漏源电压为30V， 导通电阻为7.5毫欧。 在低电压、中等电流的应用中， 其导通损耗较低， 有助于提升整体效率。 适用于电源管理模块、电机驱动电路以及高频开关应用等场景， 能够在紧凑设计中维持良好的热稳定性和电气性能。