NVTFS070N10MCLTAG
IC
WDFN-8
可供量大可议
NVTFS070N10MCLTAG
特性：小尺寸封装（3.3×3.3mm）， 适合紧凑设计。 低导通电阻， 可降低传导损耗。 低电容， 可降低驱动损耗。 可焊侧翼产品。 通过AEC-Q101认证， 具备PPAP能力。 无铅且符合RoHS标准
品牌
onsemi
封装
WDFN-8
库存
26
货期
现货
NVTFS070N10MCLTAG参数
| 封装 | WDFN-8 |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 26 |
NVTFS070N10MCLTAG概述
特性：小尺寸封装（3.3×3.3mm）， 适合紧凑设计。 低导通电阻， 可降低传导损耗。 低电容， 可降低驱动损耗。 可焊侧翼产品。 通过AEC-Q101认证， 具备PPAP能力。 无铅且符合RoHS标准
NVTFS070N10MCLTAG特性
暂无产品特性。
NVTFS070N10MCLTAG应用领域
暂无应用领域。