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NVTFS030N06CTAG-HXY
IC

DFN-8L(3x3)

可供量大可议

NVTFS030N06CTAG-HXY

该N沟道场效应管漏极电流为20A, 漏源击穿电压60V, 导通电阻24毫欧, 栅源电压耐受值20V。 其参数特性适合中等功率开关应用, 常见于笔记本电脑适配器、LED照明驱动及便携式设备电源管理电路。 器件在60V电压等级下提供稳定的电流控制能力, 24毫欧的导通阻抗有助于平衡导通损耗与封装尺寸, 满足消费电子对空间布局与能效的具体要求。

品牌

HXY MOSFET

封装

DFN-8L(3x3)

库存

48

货期

现货

NVTFS030N06CTAG-HXY参数

封装DFN-8L(3x3)
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存48

NVTFS030N06CTAG-HXY概述

该N沟道场效应管漏极电流为20A, 漏源击穿电压60V, 导通电阻24毫欧, 栅源电压耐受值20V。 其参数特性适合中等功率开关应用, 常见于笔记本电脑适配器、LED照明驱动及便携式设备电源管理电路。 器件在60V电压等级下提供稳定的电流控制能力, 24毫欧的导通阻抗有助于平衡导通损耗与封装尺寸, 满足消费电子对空间布局与能效的具体要求。

NVTFS030N06CTAG-HXY特性

暂无产品特性。

NVTFS030N06CTAG-HXY应用领域

暂无应用领域。

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