NVTFS030N06CTAG-HXY
IC
DFN-8L(3x3)
可供量大可议
NVTFS030N06CTAG-HXY
该N沟道场效应管漏极电流为20A, 漏源击穿电压60V, 导通电阻24毫欧, 栅源电压耐受值20V。 其参数特性适合中等功率开关应用, 常见于笔记本电脑适配器、LED照明驱动及便携式设备电源管理电路。 器件在60V电压等级下提供稳定的电流控制能力, 24毫欧的导通阻抗有助于平衡导通损耗与封装尺寸, 满足消费电子对空间布局与能效的具体要求。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(3x3)
库存
48
货期
现货
NVTFS030N06CTAG-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 48 |
NVTFS030N06CTAG-HXY概述
该N沟道场效应管漏极电流为20A, 漏源击穿电压60V, 导通电阻24毫欧, 栅源电压耐受值20V。 其参数特性适合中等功率开关应用, 常见于笔记本电脑适配器、LED照明驱动及便携式设备电源管理电路。 器件在60V电压等级下提供稳定的电流控制能力, 24毫欧的导通阻抗有助于平衡导通损耗与封装尺寸, 满足消费电子对空间布局与能效的具体要求。
NVTFS030N06CTAG-HXY特性
暂无产品特性。
NVTFS030N06CTAG-HXY应用领域
暂无应用领域。
