NVTFS012P03P8ZTAG-HXY

该P沟道场效应管最大漏极电流为55A， 漏源击穿电压30V， 导通电阻低至8毫欧。 器件凭借低导通损耗特性， 适用于电池保护电路、负载开关及电源管理模块。 在便携式设备供电切换与电机驱动应用中， 其低内阻设计有助于提升系统效率并减少发热， 满足高电流密度场景下的稳定运行需求。