NVTFS004N04CETAG-HXY
IC
DFN-8L(3x3)
可供量大可议
NVTFS004N04CETAG-HXY
这款N沟道场效应管专为大电流、低电压应用场景设计。 其4.2mΩ的超低导通电阻, 能有效降低70A大电流下的导通损耗与发热, 显著提升电源转换效率。 40V的漏源耐压(VDSS)使其能稳定应对中低压供电环境。 该器件开关特性优异, 驱动电路设计简洁, 易于实现高频开关操作。 它广泛应用于各类消费电子设备、服务器电源模块、便携式储能系统以及高性能电机驱动电路中, 作为主开关管或同步整流管, 是实现高效、紧凑功率设计的核心元件。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(3x3)
库存
48
货期
现货
NVTFS004N04CETAG-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 48 |
NVTFS004N04CETAG-HXY概述
这款N沟道场效应管专为大电流、低电压应用场景设计。 其4.2mΩ的超低导通电阻, 能有效降低70A大电流下的导通损耗与发热, 显著提升电源转换效率。 40V的漏源耐压(VDSS)使其能稳定应对中低压供电环境。 该器件开关特性优异, 驱动电路设计简洁, 易于实现高频开关操作。 它广泛应用于各类消费电子设备、服务器电源模块、便携式储能系统以及高性能电机驱动电路中, 作为主开关管或同步整流管, 是实现高效、紧凑功率设计的核心元件。
NVTFS004N04CETAG-HXY特性
暂无产品特性。
NVTFS004N04CETAG-HXY应用领域
暂无应用领域。
