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NVTFS004N04CETAG-HXY
IC

DFN-8L(3x3)

可供量大可议

NVTFS004N04CETAG-HXY

这款N沟道场效应管专为大电流、低电压应用场景设计。 其4.2mΩ的超低导通电阻, 能有效降低70A大电流下的导通损耗与发热, 显著提升电源转换效率。 40V的漏源耐压(VDSS)使其能稳定应对中低压供电环境。 该器件开关特性优异, 驱动电路设计简洁, 易于实现高频开关操作。 它广泛应用于各类消费电子设备、服务器电源模块、便携式储能系统以及高性能电机驱动电路中, 作为主开关管或同步整流管, 是实现高效、紧凑功率设计的核心元件。

品牌

HXY MOSFET

封装

DFN-8L(3x3)

库存

48

货期

现货

NVTFS004N04CETAG-HXY参数

封装DFN-8L(3x3)
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存48

NVTFS004N04CETAG-HXY概述

这款N沟道场效应管专为大电流、低电压应用场景设计。 其4.2mΩ的超低导通电阻, 能有效降低70A大电流下的导通损耗与发热, 显著提升电源转换效率。 40V的漏源耐压(VDSS)使其能稳定应对中低压供电环境。 该器件开关特性优异, 驱动电路设计简洁, 易于实现高频开关操作。 它广泛应用于各类消费电子设备、服务器电源模块、便携式储能系统以及高性能电机驱动电路中, 作为主开关管或同步整流管, 是实现高效、紧凑功率设计的核心元件。

NVTFS004N04CETAG-HXY特性

暂无产品特性。

NVTFS004N04CETAG-HXY应用领域

暂无应用领域。

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