NVR5198NLT1G-VB
IC
SOT-23-3
可供量大可议
NVR5198NLT1G-VB
台积电流片， 长电科技封装； SOT23； N—Channel沟道, 60V； 4A； RDS(ON)=75mΩ@VGS=10V, VGS=±20V； Vth=1~3V； 这是一款单N沟道MOSFET， 采用Trench工艺， 适用于便携式电子产品、消费电子、传感器模块、医疗设备和智能穿戴设备等低功率模块和应用场景。
品牌
VBsemi
封装
SOT-23-3
库存
10
货期
现货
NVR5198NLT1G-VB参数
| 封装 | SOT-23-3 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
NVR5198NLT1G-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； SOT23； N—Channel沟道, 60V； 4A； RDS(ON)=75mΩ@VGS=10V, VGS=±20V； Vth=1~3V； 这是一款单N沟道MOSFET， 采用Trench工艺， 适用于便携式电子产品、消费电子、传感器模块、医疗设备和智能穿戴设备等低功率模块和应用场景。
NVR5198NLT1G-VB特性
暂无产品特性。
NVR5198NLT1G-VB应用领域
暂无应用领域。