NVMYS1D6N04CLTWG
IC
LFPAK-4(5x6)
可供量大可议
NVMYS1D6N04CLTWG
特性：低RDS(ON)以最小化传导损耗。 低QG和电容以最小化驱动损耗。 通过AEC-Q101认证且具备PPAP能力。 LFPAK4封装， 行业标准。 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂且符合RoHS标准
品牌
onsemi
封装
LFPAK-4(5x6)
库存
95
货期
现货
NVMYS1D6N04CLTWG参数
| 封装 | LFPAK-4(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 95 |
NVMYS1D6N04CLTWG概述
特性：低RDS(ON)以最小化传导损耗。 低QG和电容以最小化驱动损耗。 通过AEC-Q101认证且具备PPAP能力。 LFPAK4封装， 行业标准。 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂且符合RoHS标准
NVMYS1D6N04CLTWG特性
暂无产品特性。
NVMYS1D6N04CLTWG应用领域
暂无应用领域。