NVMYS021N10MCLTWG
IC
LFPAK-4
可供量大可议
NVMYS021N10MCLTWG
特性：小尺寸（5x6mm）， 便于紧凑设计。 低导通电阻， 以降低传导损耗。 低栅极电荷和电容， 以降低驱动损耗。 通过AEC-Q101认证并具备生产件批准程序（PPAP）能力。 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂（BFR）， 并符合RoHS标准
品牌
onsemi
封装
LFPAK-4
库存
3
货期
现货
NVMYS021N10MCLTWG参数
| 封装 | LFPAK-4 |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 3 |
NVMYS021N10MCLTWG概述
特性：小尺寸（5x6mm）， 便于紧凑设计。 低导通电阻， 以降低传导损耗。 低栅极电荷和电容， 以降低驱动损耗。 通过AEC-Q101认证并具备生产件批准程序（PPAP）能力。 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂（BFR）， 并符合RoHS标准
NVMYS021N10MCLTWG特性
暂无产品特性。
NVMYS021N10MCLTWG应用领域
暂无应用领域。