NVMTS1D6N10MCTXG
IC
DFNW-8(8.3x8.4)
可供量大可议
NVMTS1D6N10MCTXG
特性：小尺寸（8x8 mm）， 适合紧凑设计。 低Rₒₙ， 以最小化传导损耗。 低Q₃和电容， 以最小化驱动损耗。 新型Power 88封装。 通过AEC-Q101认证， 具备PPAP能力。 这些器件无PD， 符合RoHS标准
品牌
onsemi
封装
DFNW-8(8.3x8.4)
库存
10
货期
现货
NVMTS1D6N10MCTXG参数
| 封装 | DFNW-8(8.3x8.4) |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
NVMTS1D6N10MCTXG概述
特性：小尺寸（8x8 mm）， 适合紧凑设计。 低Rₒₙ， 以最小化传导损耗。 低Q₃和电容， 以最小化驱动损耗。 新型Power 88封装。 通过AEC-Q101认证， 具备PPAP能力。 这些器件无PD， 符合RoHS标准
NVMTS1D6N10MCTXG特性
暂无产品特性。
NVMTS1D6N10MCTXG应用领域
暂无应用领域。