NVMTS1D2N08H
IC
DFNW-8(8.4x8.3)
可供量大可议
NVMTS1D2N08H
特性：小尺寸（8x8mm）， 适合紧凑设计。 低RDS(on)， 以最小化传导损耗。 低QG和电容， 以最小化驱动损耗。 通过AEC-Q101认证且具备生产件批准程序（PPAP）能力。 这些器件无铅且符合RoHS标准
品牌
onsemi
封装
DFNW-8(8.4x8.3)
库存
7
货期
现货
NVMTS1D2N08H参数
| 封装 | DFNW-8(8.4x8.3) |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 7 |
NVMTS1D2N08H概述
特性：小尺寸（8x8mm）， 适合紧凑设计。 低RDS(on)， 以最小化传导损耗。 低QG和电容， 以最小化驱动损耗。 通过AEC-Q101认证且具备生产件批准程序（PPAP）能力。 这些器件无铅且符合RoHS标准
NVMTS1D2N08H特性
暂无产品特性。
NVMTS1D2N08H应用领域
暂无应用领域。