NVMTS1D1N04CTXG
IC
DFNW-8(8.3x8.4)
可供量大可议
NVMTS1D1N04CTXG
特性：小尺寸（8×8mm）， 适合紧凑设计。 低RDS(on)， 以最小化传导损耗。 低QG和电容， 以最小化驱动损耗。 新型Power 88封装。 AEC-Q101合格且具备PPAP能力。 这些器件无铅且符合RoHS标准
品牌
onsemi
封装
DFNW-8(8.3x8.4)
库存
45
货期
现货
NVMTS1D1N04CTXG参数
| 封装 | DFNW-8(8.3x8.4) |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 45 |
NVMTS1D1N04CTXG概述
特性：小尺寸（8×8mm）， 适合紧凑设计。 低RDS(on)， 以最小化传导损耗。 低QG和电容， 以最小化驱动损耗。 新型Power 88封装。 AEC-Q101合格且具备PPAP能力。 这些器件无铅且符合RoHS标准
NVMTS1D1N04CTXG特性
暂无产品特性。
NVMTS1D1N04CTXG应用领域
暂无应用领域。