NVMTS0D6N04CLTXG
IC
DFNW-8
可供量大可议
NVMTS0D6N04CLTXG
特性：小尺寸（8x8mm）， 适合紧凑设计。 低导通电阻， 可降低传导损耗。 低栅极电荷和电容， 可降低驱动损耗。 可焊侧翼电镀， 便于光学检测。 通过AEC-101认证， 可提供生产件批准程序文件。 无铅、无卤、符合RoHS标准
品牌
onsemi
封装
DFNW-8
库存
16
货期
现货
NVMTS0D6N04CLTXG参数
| 封装 | DFNW-8 |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 16 |
NVMTS0D6N04CLTXG概述
特性：小尺寸（8x8mm）， 适合紧凑设计。 低导通电阻， 可降低传导损耗。 低栅极电荷和电容， 可降低驱动损耗。 可焊侧翼电镀， 便于光学检测。 通过AEC-101认证， 可提供生产件批准程序文件。 无铅、无卤、符合RoHS标准
NVMTS0D6N04CLTXG特性
暂无产品特性。
NVMTS0D6N04CLTXG应用领域
暂无应用领域。