NVMTS001N06CTXG
IC
DFNW-8(8.4x8.3)
可供量大可议
NVMTS001N06CTXG
特性：小封装尺寸（8x8mm）， 适合紧凑设计。 低导通电阻， 可降低传导损耗。 低栅极电荷和电容， 可降低驱动损耗。 通过AEC-Q101认证， 可提供生产件批准程序（PPAP）文件。 可焊侧翼电镀， 便于光学检测。 无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR）， 符合RoHS标准
Brand
onsemi
Package
DFNW-8(8.4x8.3)
Stock
10
货期
现货
NVMTS001N06CTXGParameters
| 封装 | DFNW-8(8.4x8.3) |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
NVMTS001N06CTXG概述
特性：小封装尺寸（8x8mm）， 适合紧凑设计。 低导通电阻， 可降低传导损耗。 低栅极电荷和电容， 可降低驱动损耗。 通过AEC-Q101认证， 可提供生产件批准程序（PPAP）文件。 可焊侧翼电镀， 便于光学检测。 无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR）， 符合RoHS标准
NVMTS001N06CTXG特性
暂无产品特性。
NVMTS001N06CTXG应用领域
暂无应用领域。