NVMS5P02R2G
IC
SOIC-8
可供量大可议
NVMS5P02R2G
特性：具有超低导通电阻 (RDS(on)) 的高密度功率 MOSFET， 提供更高的效率。 微型 SOIC-8 表面贴装封装， 节省电路板空间。 二极管具有高速软恢复特性。 规定了高温下的漏源截止电流 (IDSS)。 规定了漏源雪崩能量。 这些器件为无铅产品， 符合 RoHS 标准。 应用：便携式和电池供电产品的电源管理， 如计算机、打印机、PCMCIA 卡、移动电话和无绳电话
品牌
onsemi
封装
SOIC-8
库存
49
货期
现货
NVMS5P02R2G参数
| 封装 | SOIC-8 |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 49 |
NVMS5P02R2G概述
特性：具有超低导通电阻 (RDS(on)) 的高密度功率 MOSFET， 提供更高的效率。 微型 SOIC-8 表面贴装封装， 节省电路板空间。 二极管具有高速软恢复特性。 规定了高温下的漏源截止电流 (IDSS)。 规定了漏源雪崩能量。 这些器件为无铅产品， 符合 RoHS 标准。 应用：便携式和电池供电产品的电源管理， 如计算机、打印机、PCMCIA 卡、移动电话和无绳电话
NVMS5P02R2G特性
暂无产品特性。
NVMS5P02R2G应用领域
暂无应用领域。