NVMFWS3D0N08XT1G
IC
DFN-5(5.9x4.9)
可供量大可议
NVMFWS3D0N08XT1G
特性：低QRR， 软恢复体二极管。 低RDS(on)以最小化传导损耗。 低QG和电容以最小化驱动损耗。 AEC-Q101合格且具备PPAP能力。 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂且符合RoHS标准。 应用：直流-直流和交流-直流中的同步整流（SR）。 隔离式直流-直流转换器中的初级开关
品牌
onsemi
封装
DFN-5(5.9x4.9)
库存
44
货期
现货
NVMFWS3D0N08XT1G参数
| 封装 | DFN-5(5.9x4.9) |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 44 |
NVMFWS3D0N08XT1G概述
特性：低QRR， 软恢复体二极管。 低RDS(on)以最小化传导损耗。 低QG和电容以最小化驱动损耗。 AEC-Q101合格且具备PPAP能力。 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂且符合RoHS标准。 应用：直流-直流和交流-直流中的同步整流（SR）。 隔离式直流-直流转换器中的初级开关
NVMFWS3D0N08XT1G特性
暂无产品特性。
NVMFWS3D0N08XT1G应用领域
暂无应用领域。