NVMFWS2D9N04XMT1G
IC
DFNW-5(5x6)
可供量大可议
NVMFWS2D9N04XMT1G
特性：低导通电阻， 以最小化传导损耗。 低电容， 以最小化驱动损耗。 小尺寸（5 x 6 mm）， 设计紧凑。 通过 AEC-Q101 认证， 具备 PPAP 能力。 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂， 符合 RoHS 标准。 应用：电机驱动。 电池保护
品牌
onsemi
封装
DFNW-5(5x6)
库存
25
货期
现货
NVMFWS2D9N04XMT1G参数
| 封装 | DFNW-5(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 25 |
NVMFWS2D9N04XMT1G概述
特性：低导通电阻， 以最小化传导损耗。 低电容， 以最小化驱动损耗。 小尺寸（5 x 6 mm）， 设计紧凑。 通过 AEC-Q101 认证， 具备 PPAP 能力。 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂， 符合 RoHS 标准。 应用：电机驱动。 电池保护
NVMFWS2D9N04XMT1G特性
暂无产品特性。
NVMFWS2D9N04XMT1G应用领域
暂无应用领域。