NVMFWS2D3N04XMT1G
IC
SO-8FL
可供量大可议
NVMFWS2D3N04XMT1G
特性：低RDS(on)以最小化传导损耗。 低电容以最小化驱动损耗。 小尺寸（5×6mm）， 设计紧凑。 通过AECQ101认证， 可提供生产件批准程序（PPAP）文件。 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR）， 符合RoHS标准。 应用：电机驱动。 电池保护
品牌
onsemi
封装
SO-8FL
库存
90
货期
现货
NVMFWS2D3N04XMT1G参数
| 封装 | SO-8FL |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 90 |
NVMFWS2D3N04XMT1G概述
特性：低RDS(on)以最小化传导损耗。 低电容以最小化驱动损耗。 小尺寸（5×6mm）， 设计紧凑。 通过AECQ101认证， 可提供生产件批准程序（PPAP）文件。 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR）， 符合RoHS标准。 应用：电机驱动。 电池保护
NVMFWS2D3N04XMT1G特性
暂无产品特性。
NVMFWS2D3N04XMT1G应用领域
暂无应用领域。