NVMFWS1D3N04XMT1G-HXY
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
NVMFWS1D3N04XMT1G-HXY
该N沟道场效应管（MOSFET）具有219A的连续漏极电流（ID）和40V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）低至1.2毫欧， 在栅源电压（VGS）为20V时可实现高效导通。 其高电流承载能力与极低导通损耗特性， 适用于对功率密度和效率要求较高的电源转换、电机驱动及高频开关等应用场景， 能够有效提升系统整体能效与热管理性能。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(5x6)
库存
37
货期
现货
NVMFWS1D3N04XMT1G-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 37 |
NVMFWS1D3N04XMT1G-HXY概述
该N沟道场效应管（MOSFET）具有219A的连续漏极电流（ID）和40V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）低至1.2毫欧， 在栅源电压（VGS）为20V时可实现高效导通。 其高电流承载能力与极低导通损耗特性， 适用于对功率密度和效率要求较高的电源转换、电机驱动及高频开关等应用场景， 能够有效提升系统整体能效与热管理性能。
NVMFWS1D3N04XMT1G-HXY特性
暂无产品特性。
NVMFWS1D3N04XMT1G-HXY应用领域
暂无应用领域。