NVMFWS0D9N04XMT1G
IC
SO-8FL
可供量大可议
NVMFWS0D9N04XMT1G
特性：低导通电阻RDS(on)， 以最小化传导损耗。 低电容， 以最小化驱动损耗。 小尺寸（5x6 mm）， 紧凑设计。 通过AEC-Q101认证， 具备生产件批准程序（PPAP）能力。 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂（BFR）， 符合RoHS标准。 应用：电机驱动。 电池保护
品牌
onsemi
封装
SO-8FL
库存
4
货期
现货
NVMFWS0D9N04XMT1G参数
| 封装 | SO-8FL |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 4 |
NVMFWS0D9N04XMT1G概述
特性：低导通电阻RDS(on)， 以最小化传导损耗。 低电容， 以最小化驱动损耗。 小尺寸（5x6 mm）， 紧凑设计。 通过AEC-Q101认证， 具备生产件批准程序（PPAP）能力。 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂（BFR）， 符合RoHS标准。 应用：电机驱动。 电池保护
NVMFWS0D9N04XMT1G特性
暂无产品特性。
NVMFWS0D9N04XMT1G应用领域
暂无应用领域。