NVMFWS015N10MCLT1G
自营可供
IC
DFN-5(5.9x4.9)
NVMFWS015N10MCLT1G
1个N沟道 耐压:100V 电流:47.1A
品牌
onsemi
封装
DFN-5(5.9x4.9)
交期
现货
批次
—
NVMFWS015N10MCLT1G参数
| 封装 | DFN-5(5.9x4.9) |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 耗散功率(Pd) | 59.5W |
| 栅极电荷量(Qg) | 9nC@4.5V |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
| 商品型号 | NVMFWS015N10MCLT1G |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.000184 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 95 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.7mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 输入电容(Ciss) | 1.338nF |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
| 输出电容(Coss) | 521pF |
| 商品名称 | 1个N沟道 耐压:100V 电流:47.1A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
NVMFWS015N10MCLT1G概述
1个N沟道 耐压:100V 电流:47.1A
NVMFWS015N10MCLT1G特性
- 小尺寸封装(5x6 mm), 适合紧凑设计
- 低导通电阻RDS(on), 以最小化传导损耗
- 低栅极电荷QG和电容, 以最小化驱动器损耗
- NVMFWS015N10MCL
- 可焊侧翼选项, 便于增强光学检测
- 通过AEC
- Q101认证, 可提供生产件批准程序(PPAP)文件
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂(BFR), 符合RoHS标准